12-300V N MOSFET
30-200V N-Channel SGT-II MOSFET概覽
新潔能提供擊穿電壓等級范圍為30V至120V的N溝道SGT-II系列功率MOSFET 產(chǎn)品超低的導通電阻（RDS(on)）與超低柵極電荷（Qg）的特點，結(jié)合先進輕巧緊湊的封裝進一步提高了系統(tǒng)的功率密度與能量轉(zhuǎn)換效率。同時，面向性能與魯棒性要求極為苛刻的低頻應用，新潔能N溝道SGT-II系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化了大電流關(guān)斷能力與靜電防護能力，可滿足包括直流電機驅(qū)動、鋰電池保護、AC/DC同步整流等廣泛應用。此外，相比于新潔能上一代SGT-I系列產(chǎn)品，SGT-II系列產(chǎn)品特征導通電阻Ron,sp 降低20%，F(xiàn)OM值進降低20%，為設(shè)計人員進一步提高系統(tǒng)效率提供了更優(yōu)的選擇。
N溝道SGT-II系列功率MOSFET封裝范圍包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多種封裝，為設(shè)計人員定制化提供更加豐富靈活的選擇。
注："SGT MOSFET"又稱“Super Trench MOSFET”。